VISHAY SIA477EDJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -50А
SIA477EDJT-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA477EDJT-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA477EDJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -50А