VISHAY SIA817EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -30В
SIA817EDJ-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA817EDJ-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA817EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -30В