VISHAY SIB417EDK-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -8В; -9А; Idm: -15А
SIB417EDK-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIB417EDK-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIB417EDK-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -8В; -9А; Idm: -15А