Транзистори з каналом P SMD
SIA429DJT-T1-GE3
VISHAY SIA429DJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -30А..
0.00 грн.
SIA431DJ-T1-GE3
VISHAY SIA431DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -30А..
0.00 грн.
SIA433EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.
SIA437DJ-T1-GE3
VISHAY SIA437DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -29,7А; Idm: -60А..
0.00 грн.
SIA441DJ-T1-GE3
VISHAY SIA441DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -12А; Idm: -30А..
0.00 грн.
SIA445EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.
SIA445EDJT-T1-GE3
VISHAY SIA445EDJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.
SIA447DJ-T1-GE3
VISHAY SIA447DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.
SIA449DJ-T1-GE3
VISHAY SIA449DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -30А..
0.00 грн.
SIA459EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA459EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -9А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA461DJ-T1-GE3
VISHAY SIA461DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SIA469DJ-T1-GE3
VISHAY SIA469DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA471DJ-T1-GE3
VISHAY SIA471DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -30,3А; Idm: -70А..
0.00 грн.
SIA477EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA477EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.