Транзистори з каналом P SMD
SI8823EDB-T2-E1
VISHAY SI8823EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -2,7А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SI8851EDB-T2-E1
VISHAY SI8851EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -16,7А; Idm: -80А..
0.00 грн.
SI9407BDY-T1-E3
VISHAY SI9407BDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY SI9407BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY SI9407BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9433BDY-T1-E3
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9433BDY-T1-E3
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9433BDY-T1-GE3
VISHAY SI9433BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9435BDY-T1-GE3
VISHAY SI9435BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -5,7А; Idm: -30А..
0.00 грн.
SIA413ADJ-T1-GE3
VISHAY SIA413ADJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA413DJ-T1-GE3
VISHAY SIA413DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA421DJ-T1-GE3
VISHAY SIA421DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -35А..
0.00 грн.
SIA4263DJ-T1-GE3
VISHAY SIA4263DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -32А..
0.00 грн.
SIA4265EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA4265EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -9А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SIA427ADJ-T1-GE3
VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -8В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.