Транзистори багатоканальні
SI9933CDY-T1-E3
VISHAY SI9933CDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9933CDY-T1-GE3
VISHAY SI9933CDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SIA517DJ-T1-GE3
VISHAY SIA517DJ-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А..
0.00 грн.
SIA519EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA519EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4,5/-4,5А..
0.00 грн.
SIA527DJ-T1-GE3
VISHAY SIA527DJ-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А..
0.00 грн.
SIA533EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA533EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-12В; 4,5/-4,5А..
0.00 грн.
SIA537EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA537EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-20В; 4,5/-4,5А..
0.00 грн.
SIA906EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA906EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 15А..
0.00 грн.
SIA910EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 12В; 4,5А; Idm: 20А..
0.00 грн.
SIA913ADJ-T1-GE3
VISHAY SIA913ADJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; 6,5Вт..
0.00 грн.
SIA918EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA918EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А..
0.00 грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3
VISHAY SIA923AEDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4,5А; 7,8Вт..
0.00 грн.
SIA923EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA923EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4,5А; 7,8Вт..
0.00 грн.
SIA928DJ-T1-GE3
VISHAY SIA928DJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 30А..
0.00 грн.
SIA938DJT-T1-GE3
VISHAY SIA938DJT-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А..
0.00 грн.